Abkommen unterzeichnet
Infineon und Micron entwickeln gemeinsam Speicherbausteine

vwd MÜNCHEN/BOISE. Der Halbleiterhersteller Infineon Technologies AG, München, und das US-Unternehmen Micron Technology Inc. wollen in Zukunft gemeinsam Speicherbausteine mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM) entwicklen. Ein entsprechendes Abkommen sei bereits unterzeichnet worden, teilten die beiden Unternehmen am Mittwoch gemeinsam mit. Die geplante DRAM-Familie soll mehrere Generationen von Speicherbausteinen umfassen. Diese würden speziell für den Einsatz in Switches, Routers und anderen Anwendungen entwickelt, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern, hieß es.

Serviceangebote
Zur Startseite
-0%1%2%3%4%5%6%7%8%9%10%11%12%13%14%15%16%17%18%19%20%21%22%23%24%25%26%27%28%29%30%31%32%33%34%35%36%37%38%39%40%41%42%43%44%45%46%47%48%49%50%51%52%53%54%55%56%57%58%59%60%61%62%63%64%65%66%67%68%69%70%71%72%73%74%75%76%77%78%79%80%81%82%83%84%85%86%87%88%89%90%91%92%93%94%95%96%97%98%99%100%