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IBM und Infineon entwickeln neuartige Speichertechnologie

Diese Technologie werde dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern und es Computern ermöglichen, nach dem Einschalten sofort betriebsbereit zu sein, heißt es in einer gemeinsamen Mitteilung

vwd EAST FISHKILL/MÜNCHEN. Die US-amerikanische International Business Machines Corp (IBM) und die Infineon Technologies AG haben ein Abkommen über die gemeinsame Entwicklung einer neuartigen Speichertechnologie angekündigt. Diese Technologie werde dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern und es Computern ermöglichen, nach dem Einschalten sofort betriebsbereit zu sein, heißt es in einer gemeinsamen Mitteilung vom Donnerstag. Beide Unternehmen haben vereinbart, bei der Entwicklung der MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technologie zusammen zu arbeiten.



Die neue Technologie nutzt magnetische statt elektronischer Ladungselemente für die Speicherung der Datenbits. MRAM ermögliche wesentliche Verbesserungen für elektronische Produkte. Die Daten blieben auch nach Abschalten der Versorgungsspannung erhalten, wird erläutert.

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