Nano-Röhren übertreffen Silizium-Transistoren
IBM stellt leistungsstärksten Transistor vor

Der US-amerikanische Chiphersteller IBM hat nach eigenen Angaben die bisher leistungsfähigsten Transistoren aus Kohlenstoff-Nano-Röhren entwickelt. Obwohl sie nicht optimiert seien, hätten sie eine höhere Leistung als die jüngsten Prototypen von Silizium-Transistoren erreicht, teilte IBM mit.

mer DÜSSELDORF. "Kohlenstoff-Nano-Röhren sind die Top-Kandidaten für den Ersatz von Silizium, wenn die gegenwärtige Chiptechnologie in zehn bis 15 Jahren an ihre physikalischen Grenzen stößt", sagte Phaedon Avouris, Manager Nanoscale Science bei IBM Research. "Der Beweis, dass Kohlenstoff-Nano-Röhren eine höhere Leistung ermöglichen als Silizium-Transistoren, macht den Weg frei für weitere Forschung."

Die Transistoren verfügen über eine doppelt so hohe Leitfähigkeit wie die neuesten Silizium-Halbleiter. Diese ermöglicht eine größere Taktfrequenz für die integrierten Schaltkreise. Für ihre Nano-Transistoren schufen die IBM-Wissenschafter einen "Carbon Nanotube Field Effect Transistoren (CNFETs)" , dessen Struktur heutigen Metall-Oxid-Transistoren ähnelt.

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