Verstärkung im Speicherchipbereich
Infineon baut Kooperation mit Winbond aus

Der Münchener Halbleiterkonzern Infineon intensiviert im Speicherchipbereich seine Zusammenarbeit mit dem taiwanischen Auftragsfertiger Winbond.

HB MÜNCHEN. „Mit diesem Schritt kann Infineon auf die 200-Millimeter- und 300-Millimeter-Fertigungsstätten von Winbond zurückgreifen, um seine Kapazitäten von Winbond erheblich aufzustocken“, teilte der siebtgrößte Chipkonzern der Welt am Freitag mit. Konkrete Angaben zu der erwarteten Kapazitätsausweitung machten die Münchener auf Anfrage nicht.

Infineon werde Winbond seine Kenntnisse im Bereich der 90-Nanometer-DRAM-Technologie sowie der Fertigung auf Siliziumscheiben (Wafer) mit 300 Millimeter Durchmesser zur Verfügung stellen, hieß es. Die Taiwanesen könnten damit Spezialspeicher entwickeln und vermarkten, für die Infineon im Gegenzug Lizenzzahlungen erhalte.

Zugleich übernehme Winbond für die Münchener die exklusive Fertigung von Standard-Speichern (DRAMs) für Computeranwendungen mit dieser Technologie. Darüber hinaus sei geplant, dass beide Unternehmen gemeinsam Spezialspeicherbausteine für den Einsatz in mobilen Anwendungen - etwa Handys oder PDAs - entwickelten.

Seit Mai 2002 stellt Infineon Winbond bereits seine 110-Nanometer-Technologie für die Fertigung auf 200-Millimeter-Wafern zur Verfügung. Die Infineon-Aktie notierte im frühen Handel mit 8,38 € um 2,2 % im Minus und verlor damit stärker als der Gesamtmarkt, der 1,4 % abgab.

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