Infineon präsentiert in Dresden Prototyp eines Magnetspeicherchips (MRAM)
Infineon und IBM gelingt Durchbruch bei neuer Speichertechnik

Die Elektronikbranche setzt auf neue Speichertechniken, die das Arbeiten an elektronischen Geräten einfacher machen. In diesem Zusammenhang stellte der deutsche Halbleiterhersteller Infineon in seinem Werk in Dresden den ersten Prototyp eines Chips auf Magnetspeicherbasis vor.

HB DRESDEN. Im Vergleich zu den herkömmlichen werden bei Chips in MRAM-Technik Informationen anstelle von elektrischen mit magnetischen Ladungen gespeichert. Dadurch wird ein langwieriges Hochfahren des Computers überflüssig und Daten bei Stromausfall besser gesichert. M steht somit für Magnettechnik der Speicherchips (RAM = Random Access Memory)

Die Vision, die mit Hilfe der neuen Technik verwirklicht werden soll:
- Computer, die ihre Daten auch bei einem Stromausfall behalten;
- Laptops, deren Batterien tagelang ohne Nachladen Strom liefern;
- Taschen-Computer und Mobiltelefone mit riesigen Datenspeichern.
Künftige Rechner sollen auf Knopfdruck genau an der Stelle beginnen, wo man zuletzt mit der Arbeit aufgehört hat. Dieser Traum, in der Unterhaltungselektronik eine Selbstverständlichkeit, könnte auch in der Computerwelt Wirklichkeit werden – in ein paar Jahren.

„Noch ist ein langer Weg zu gehen“ sagte Infineons Cheftechnik für neue Speicher, Wilhelm Beinvogl, dem Handelsblatt. Aber erste Schritte seien getan. Auf dem VLSI Symposium in Hawaii hat vor kurzem Infineon gemeinsam mit IBM den bisher leistungsfähigsten Prototypen dieses revolutionären Speicherchips vorgestellt: den ersten 16-Mbit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen (MRAM).

Das Prinzip: MRAM-Chips speichern die Informationen mit einer magnetischen Ladung und nicht mehr, wie herkömmliche Speicherchips in elektrischen Ladungen. Heute müssen die Arbeitsspeicher von Computern (RAM) noch ständig unter Strom gehalten werden. Nur so bleiben die Informationen erhalten. Auf MRAM-Speicher dagegen gehen sie auch nach Abschalten des Stroms - vergleichbar mit der Festplatte eines Rechners – nicht verloren.

Ein weiterer Bonus der neuen, angestrebten Technik: Sie ist sehr schnell und erlaubt damit den nahezu unmittelbaren Zugriff auf das Speichermedium. Zum Vergleich: Im Gegensatz zu den bisher in USB-Sticks, Taschencomputern oder Digitalkameras verwendeten nicht-flüchtigen Flash-Speichern, ist der 16-Mbit-MRAM-Chip von Infineon etwa 1 000-mal schneller. Überdies kann man in einer MRAM Speicherzelle bis zu 1 Millionen-Mal öfter Informationen speichern als bei Flash-Bausteinen.

Die hohe Speicherkapazität des 16-Mbit-Chips wurde durch die Verwendung einer 1,4 Quadratmikrometer kleinen Zelle (das entspricht 16 Millionen Einzelzellen) erreicht. Im Vergleich hätten auf der Querschnittsfläche eines Haares 5 000 Speicherzellen Platz. „Die Ankündigung des weltweit ersten 16-Megabit-MRAM-Speicher-Prototypen“ sagte Wilhelm Beinvogl, „ist ein bedeutender Durchbruch in der Entwicklung dieser neuen Technologie. Angesichts der immensen Vorteile hat MRAM aus heutiger Sicht das Potenzial in einigen Jahren Einzug in viele Speicher-Anwendungen zu halten“.

Infineon hat die MRAM-Chips seit dem Jahr 2000 in Kooperation mit IBM entwickelt. Die Technologie wurde vor kurzem aus den Labs in East Fishkill, im US-Bundesstaat New York an die Firma Altis, einem Joint Venture der beiden Unternehmen in der Nähe von Paris verlegt. Dank einer massiven Unterstützung durch die französische Regierung hoffe man, bis 2006 die Technik aus dem ersten Entwicklungsstadium in eine Phase erster Produkte zu bringen, die dann intensiven Anwendungstests unterzogen werden können, sagte Beinvogl. Noch braucht die neue Technik zu viel Platz im Vergleich zu existiernden Methoden. Damit ist sie noch zu teuer, um am Markt bestehen zu können. Auf eine Vorhersage der Marktreife wollte sich der Infineon-Manager daher noch nicht einlassen.

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